La memoria flash più veloce al mondo scrive in 0,4 nanosecondi
L’innovazione tecnologica cinese raggiunge nuove vette nel campo delle memorie grazie a un team di ricercatori dell’Università Fudan di Shanghai che ha recentemente sviluppato un dispositivo di memoria non volatile capace di operare a livello di picosecondi. Questa tecnologia rivoluzionaria, denominata “PoX” (Phase-change Oxide), rappresenta un salto quantico nelle prestazioni rispetto ai sistemi di archiviazione … Leggi tutto